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因此，喷饭品图片研究和探讨单层卤化物双钙钛矿异质结的光电性能就变得非常重要而紧迫。目前实验报道的部分单层双钙钛矿体系具有直接带隙，寨商且表现出有潜力的光电性质。

本工作基于目前实验已经合成的单层双钙钛矿体系A4B(I)B(III)X8，令人通过合理地简化结构模型，令人同时根据最外层电子构型选取了具有代表性的Cu-VA和Ag-IIIA的组合进行了深入系统的研究。进一步，喷饭品图片以(Cs4CuBiI8)3/(Cs4AgInI8)3横向异质结为例研究了外延应变和组分调控对其电子结构和光学性质的影响。该研究结果提出了构建type-II型能带对齐的单层双钙钛矿横向异质结的方案，寨商并给出了调控它们电子结构和光学性能的手段，寨商为将来实验上实现高性能的横向异质结器件提供了有意义的理论指导。

在本文返回修改过程中，令人LetianDou等人首次实验报道合成了二维单钙钛矿横向异质结(Nature,10.1038/s41586-020-2219-7)，令人并且他们发现通过无机组分和界面处的晶格应变可以调控异质结的性能，这一定程度验证了本工作提出的理论设计在实验上是有可能实现的。但目前报道的大部分双钙钛矿具有间接宽带隙和较大的载流子有效质量，喷饭品图片较少具有直接带隙的体系又表现出禁阻跃迁的特性，喷饭品图片极大程度限制了它们在太阳能电池等领域的应用。

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